Linux neden daha güvenlidir?

Birinci sebep , normal kullanıcılar hiçbir değişiklik yapma hakkına sahip değildir. Kullanıcının program yükleme yetkisi dahi bulunmaz. Eğer yüklemesi gerekmekte ise root şifreyi girmesi istenir. Linuxta root admindir. Sonra kullanıcı korumalı bir pencerede bu program için istenen yetkilendirmeleri alır. Şifreyi bilmeyen hiçbir hacker bunu yapamaz. Bu şekilde tüm Linux sistemi üzerine bir güvenlik şeridi çekilmiş olur. Her türlü temel ayar güvenli tarafta kalacak ve riskli bir ayar yapma söz konusu olduğunda sistem tarafından uyarı oluşturulacaktır.

İkinci olarak, Linux çok yaygın bir işletim sistemi değildir ve bu yüzden Linux tabanlı bilgisayarlar virüs programcıları arasında çok makbul değildirler. Bu yüzden Linux tabanlı bir sisteme, sonuç alınması mümkün olmayacak şekilde saldırmak ve bu amaçla işe yaramayacak zararlı bir yazılım yazmanın çekici bir yönü olmayacaktır.

Linux neden güvenlidir sorusunun cevabı öncelikle onun açık kodlu yazılım olmasında yatar.

Üçüncüsü, çok farklı Linux sürümleri vardır ve her birinde pek çok değişik söz konusudur. Bu önemli bir güvenlik kriteridir. Bu yüzden Linux tabanlı bilgisayarlara yönelik geliştirilecek zararlı yazılımların sayısı minimumda tutulmuş olacaktır.

Dördüncüsü, Linux açık kaynak yazılımıdır. Güncellemeler neredeyse her gün yapılır ve istenirse otomatik olarak kendilerini sisteme yüklerler. İstenirse kullanıcı sadece bu güncellemelerden haberdar olur. Düşük risk arz eden güvenlik açıklarında bile güncellemeler hızlı gelmektedir.

Diğer üstünlükler kısaca şöyledir:

Sadece tek bir merkezi kurulum programı bulunmaktadır. Orada istenilen tüm yazılımlar bulunabilmektedir. Linux işletme sisteminin kendisi, farklı türlerde grafik yüzeyler (arayüz), çeşitli yardımcı ve uygulama programları tek bir tik koyma işlemiyle kurulum veya kaldırma şeklinde seçilebilir. Sonra tek bir defada o anda mevcut olan güncellemelerle birlikte kurulabilir veya kaldırılabilirler. 

Bazıları çok kullanışlı ama hızlı işlemcilere ihtiyaç duyan bazıları da eski tür donanımlarda düzgün çalışabilen çok sayıda kullanıcı yüzeyi (arayüzü)ne sahiptir. Herkes kendisi için uygun olan türde bir arayüzü bulabilir. 

Linux için çok sayıda yazılım mevcuttur. Özel bir ihtiyaç doğrultusunda yazılmış bir yazılıma ihtiyaç duyan kişi aradığını Linux’un geniş kütüphanesinde bulabilecektir. 

Kullanıcı özel bir durum gereği bir Windows programına ihtiyaç duyarsa iki ihtimal söz konusu olabilir. Çok sayıda program, Windows uyumlu yürütme ortamı “Wine” altında çalışmaktadır. Ya da sanal bir makine kurulumu (sanal kutu) yapılarak bunun altında da eski Windows çalıştırılır. Böylesi bir sanal Windows virüs veya solucan saldırısına uğramış ise bilinen en son yedekleme durumuna geri dönülerek sorun halledilmiş olur.

Moleküler Işın (Demet ) Epitaksi

Moleküler Işın Epitaksisi ince kristalin katmanları imal etmede başvurulan bir bir PVD (Fiziksel buhar biriktirme) yöntemidir. Moleküler ışın epitaksisi öncelikle yarı iletken tekniğinde kullanılır; Bu yöntemle, bir altkatman (subtrat) üzerinde GaAs, InP, GaInNAs, GaSb gibi yarıiletken alaşımlarının tek kristalinli yapıları üretmek mümkündür.  Bu yöntemle katman oluşturmadan kullanılan bir cihaza ait görsel aşağıda verilmiştir:

Moleküler Işın Epitaksi Sistemi (Gazi Üniversitesi Fotonik Laboratuvarında)

Temel Kavramlar

Epitaksi , bir altkatman üzerinde biriktirilen bir yarı iletken katmanın kristal yapısının , her iki katmanın fiziksel özellikleri (özellikle örgü (latis) parametresi ) birbirinden çok büyük farklılık göstermediği sürece, bu altkatmanınkine uydurulması işlemidir. Altkatman ve üstündeki katman aynı alaşımdan oluşuyorsa homoepitaksi, farklı alaşımlardan oluşuyorsa heteroepitaksi kavramlarından bahsedilebilir. Heteroepitakside genellikle farklı örgü parametreleri nedeniyle belli bir kritik katman kalınlığına kadar biriktirilen katmanlarda bir gerilme ortaya çıkmaktadır. Kritik katman kalınlığı aşıldığında biriktirilmiş olan bu katman , ortaya çıkan kaymalarla (kusur) birlikte gevşemektedir. Moleküler ışın epitaksisi vakum ortamında geride kalan artık gaz atomları nedeniyle ortaya çıkan kirlenmeleri önlemek amacıyla ultra yüksek vakum ortamının oluşturulmasını gerektirir. Biriktirme süreçleri sırasında yüksek vakum bölgesine gerçekleşen akıtma nedeniyle artar. Biriktirilen katmanı meydana getiren malzemeler buharlaşma potasında (sıvı akıtma hücreleri) kızdırılır ve doğrultu kazandırılmış moleküler ışın şeklinde (art bölge gazları ile çarpışmaksızın) altkatmana ulaşır. Bu katman da da aynı şekilde ısıtılır ve düzgün bir biriktirme işlemine olanak tanır. 

Moleküler Işın Epitaksi Yöntemi 

Pota sıcaklığının kontrolü ve tek kaynaktan çıkan moleküler ışının kontrollü bir şekilde salınıp bloke edilmesiyle değişik türde kompozisyon ve katkılamaya sahip çok katmanlı kompleks yapılar elde edilebilir. Katman kalınlıkları birkaç atom çapından mikrometrelere uzanan bir yelpazede değişebilir. 

Moleküler ışın epitaksisiyle üretim süreci , biriktirme sürecine etki etmeyen uygun yerinden yöntemlerle (RHEED, elipsometri, ) denetlenebilir. 

Uygulama Alanları 

Moleküler ışın epitaksisi, özellikle optoelektronik yapı elemanlarının üretiminde kullanılmaktadır. 

Lazer diyotları 

Dielektrik Ayna 

Kuantum Kaskat Lazer vs.. 

Ayrıca incefilm fotovoltaik pil üretiminde de bu yöntemden faydalanılmaktadır. 

Diğer yandan düzgün bir katman kalınlığı denetimi sayesinde çok küçük ölçülere sahip yapıların gerçekleştirilebilmesi mümkündür. Bu yapılar kuantum olayına dayanan ve herkes için yeni kabul edilebilecek bir takım özelliklere sahiptirler. Bununla birlikte sıklıkla heteroepitaksideki doğal pürüzlülük ya da sınır katmanların içersisindeki kendiliğinden organizasyon özelliğinden faydalanılır. 

Özellikle epitaksi yoluyla biriktirilen heteroyapılarda meydana gelen gerilme, kuantum noktalarına, kuantum telciklere, kuantum kuyularına sebep olmaktadır. 

Temel araştırmalarda moleküler ışın epitaksisi gerilmiş Si/SiGe biriktirilmesine kullanılır. Bu teknoloji ile gelecekte Si/SiGe içerisinde HEMTS olarak isimlendirilen diğer adıyla MODFETS teknolojisini gerçekleştirmek ve GaAs gibi malzemeler kullanarak maliyetleri düşürmek mümkün olacaktır. 

Özel bir moleküler ışın epitaksisi yöntemi de "Allotaksi" dir. Bu yöntem sayesinde monoktristal silisyum içerisinde gömülmüş Kobaldisilisit katmanları üretmek mümkün olabilmektedir. 

Buharlaştırma vasıtasıyla atomik seviyede düzenli şekilde sıralanmış organik molekül katmanları elde etmek de mümkündür. Bu yöntem organik moleküler ışın epitaksisi olarak isimlendirilir.

Şarj Cihazları

Aküleri koruyarak hızlı ve tam bir şekilde şarj edebilmek için çoğu zaman bir gerilim kaynağını (mesela smps güç kaynağı gibi)  akünün iki kutbu arasına bağlamak yeterli olmayacaktır. 

Öncelikle şarj akımını doğru bir şekilde belirleyebilmek önem arzeder: Bu akım yeterince hızlı bir şarj için gereken büyüklükte ama  aynı zamanda da aküyü aşırı ısınmaya ve yüklenmeye uğratmayacak kadar da yüksek bir değerde olmamalıdır. Tavsiye edilen en yüksek şarj akımı akü tipine bağlıdır. Çok derin boşalmış lityum tip akülerde en baştan düşük bir akım seçmek doğru bir yaklaşım olabilir. Şarj akımının büyüklüğü göreceli olarak şarj gerilimine ve söz konusu gerilim altındayken de şarj durumu ve sıcaklığına bağlı olduğundan çoğu şarj cihazı sabit akım kaynağı (en azından şarj sona erinceye dek) gibi çalışır. Şarj gerilimi, istenen şarj akımına ulaşılıncaya dek otomatik olarak belli sınırlar dahilinde regüle edilirler. Sonra şarj gerilimi şarj sırasında yavaşça yükselir ki bu yükseliş hızı şarjın son safhalarında daha da hızlıdır. 

Şarj Cihazı

Aküyü aşırı yüklememek için şarj durumu otomatik olarak izlenmelidir; Şarj cihazı tam bir şarj sonrasında ya şarj akımını tamamıyla keser ya da dengeleme yüklemesine geçer. Devreden çıkarmadaki kriter çoğunlukla belli bir yükleme gerilimine ulaşılmış olması (şarj sonu gerilimi) ya da gerilimin gazlaşma tepesini (tam bir şarjın olduğuna işaret eder) geçmesinin ardından tekrar düşmeye başlamasıdır. 

Çoğu şarj cihazı fazladan bir takım kriterlere göre çalışmaktadır. Bu kriterler arasında örneğin, darbeli yükleme yöntemlerinde düzgün ve kısa aralıklarla şarj duraklamaları sırasında ölçülen boşta gerilimler, akülerin geçmiş süresi ya da sıcaklığı, hatta çoğu zaman akü içerisindeki gaz basıncı sayılabilir. Buna karşılık en elverişli olmasa da en basit çözüm sabit akım regülasyonuna ilave olarak, istenilen şarj sonu gerilimine yönelik gerilim sınırlaması yapmaktır. 

Şarj süreçlerinin ayrıntıları her bir akü tipi için farklı olduğundan, şarj cihazı da her bir tip için farklı olmalıdır. Mesela NiMH veya NiCd aku için uygun olan bir şarj aleti Alkali Mangan (tekrar şarj edilemeyen tipteki) aküleri canlandırmak için kullanılamazlar. Çünkü burada hücre gerilimleri daha yüksektir ve ölçülen şarj akımı daha düşüktür. NiCd aküler için tasarlanmış bir cihaz da muhtemelen NiMH aküyü aşırı yükleyecektir, çünkü gazlaşma tepesi daha düşükte meydana gelmektedir. Çok sayıda akıllı şarj cihazı içerisinde elektriksel karakteristiğini kullanarak kendisine bağlı akü tipini otomatik olarak devreden ayıran ve şarj parametrelerini buna uygun olarak ayarlayan elektronik devreler içerir. Diğer cihazlar el ile farklı akü tiplerine uygun olarak ayarlanabilir. Daha kompleks şarj stratejileri kural olarak mikroprosessörler yardımı ile gerçekleştirilebilir.

Nano Işık Anteni

Ufak aralıktan ışık saçılmaktadır.

Würzburg üniversitesi fizikçileri bir nanoantene elektrik akımı yardımıyla ışık verdirmeyi başardılar: Boyu sadece 250 nanometre olan ışık anteni gelecek yıllarda muhtemelen monitörlerde ve ayrıca veri iletiminde kullanılmak üzere çiplerin üzerinde kullanım alanı bulacak.

Bert Hecht ve araştırma ekibinden alınan bilgiye göre, her biri bir kontak teliyle donatılmış iki kola sahip olan ışık antenlerinin uç kısımları birbirine neredeyse temas etmekte. Araştırmacılar tarafından bu iki ucun arasına, biri kollardan birine temas eden diğerine de yaklaşık bir nanometre mesafede bulunan altından bir nanoparçacık yerleştirildi. Bir gerilim uygulandığında elektronlar tünel etkisi sayesinde bu ufak boşluktan akmakta ve bununla beraber bir başka kuantum fiziği etkisi neticesinde optik frekanslı salınımlar üretilmektedir.

Bu şekilde tasarlanmış olan anten böylelikle görünür ışık formunda elektromanyetik dalgalar üretiyor. Işığın rengi ise anten kollarının uzunluğuna bağlı. Hecht’in ifadesine göre şu anda bu anten elektrik ile faaliyete geçirilen en kompak ışık kaynağı ünvanını taşıyor.

Içinde bulunduğumuz dönemde benzeri minik ışık kaynakları ya ışık ile ya da kuantum noktaları gibi özel malzemeler ile beslenmek zorunda. Kullanım sahasının yaygınlaşabilmesi için elektrikle çalıştırılan bu ışık antenlerinin veriminin artırılması gerektiğini ifade eden Hechte göre bu antenlerin şu anki çalışması sırasında ışıktan çok daha fazla ısının meydana geliyor. Ayrıca bu çalışmadaki altın nanoyapı ışığın üretilebildiği süre birkaç saati geçmemekte.

Akıllı Elektrik Sayaçları Nasıl Çalışıyor?

Akıllı elektrik sayaçları iki bileşenden meydana gelmektedir: Sayacın kendisi ve verileri internet ortamına aktaran bir ağ geçidi. Klasik elektrik sayaçları belli bir dönemde tüketilen elektrik gücünün toplam değerini gösterirken, akıllı sayaçlar bu değerleri istenilen aralıklarla hesaplayıp müşteriden istenen uç noktasına protokolleyebilirler. Bu kabiliyet sayesinde, sadece elektrik tüketimi bilgisinin doğru bir şekilde aktarılmasının insanları tasarrufa teşvik edeceği ümit edilmektedir. Bu durum sadece yerel veriler için geçerlidir, bunun için enerji işletmelerine bir aktarım gerekli değildir. Bahsettiğimiz ağ geçitleri sayesinde bu veriler elektrik tedarikçilerine aktarılır. İlk etapta kullanıcı tarafından bir talep meydana gelmemişse önemli bir değişiklik meydana gelmez: Esas uygulamada akıllı sayaç ekranındaki verileri senede sadece bir kez aktarır.

Akıllı Sayaçlar Elektrik Arz ve Talebinin Dengelenmesinde Önemli Bir Yer Tutmaktadır.

Günümüzde elektrik tüketicilerinin elektriği arzı bol iken kullanması ya da elektrik darboğazı meydana geldiğinde kendi isteğiyle vazgeçmesi halinde kullandıkları elektriğin fiyatında indirimle kullanmalarını sağlayarak ödüllendirme düşüncesi etkilidir. Akıllı sayaç için ana argümanımız: Yenilenebilir enerjilerin her zaman arz edilememesi ve depolanmalarının son derece maliyetli olması. Değişken tarifelerden yararlanmak isteyen tüketicilerin sözleşmeye dayalı olarak daha fazla veriyi elektrik tedarikçisine aktarması gerekmektedir. Aksi takdirde ne zaman ne kadar elektrik enerjisinin kullanılacağı, ve o zaman diliminde elektriğin uygun maliyetli veya pahalı olacağının anlaşılabilmesi mümkün olmayacaktır.