MRAM Nedir? ( MRAM : Manyeto-Direnç Özellikli Rastgele Erişim Bellek)

MRAM (Magnetoresistive Random Access Memory), verileri DRAM (Dinamik Rasgele Erişim Belleği) de olduğu gibi elektriksel yüklerden ziyade manyetik olarak depolayan bir depolama yöntemidir. Bilim adamları, bir metali, kendisine manyetik alan uygulandığında elektrik direncini kolayca değiştirebiliyorsa, manyetoesistif olarak tanımlarlar. Statik RAM hızını DRAM yoğunluğu ile birleştirerek, MRAM, onu destekleyenlerin gözünde, depolama kapasitelerini artırmak suretiyle elektronik cihazları önemli ölçüde geliştirmeye aday bir teknolojidir. Bellek erişimi, daha düşük enerji tüketimi dolayısıyla daha uzun pil ömrünün yanında , elektronik bellekten daha hızlı olacaktır. 

MRAM ( Manyeto Rezistif RAM) Yapısı

Geleneksel Rastgele Erişim Belleği (RAM) yongaları, elektrikle beslendiği sürece verileri saklar. Güç kesilirse daha önce CD, DVD veya USB flash sürücü gibi bir sabit diske veya başka bir kalıcı depolama ortamına kopyalanmamışsa bilgiler kaybolur. Ancak MRAM, mevcut akımın olmadığı durumlarda bile verileri korur. DRAM'leri MRAM'larla değiştirilirse, bu, veri kaybını önler ve bilgisayarların, yazılımın yüklenmesini beklemek zorunda kalmadan hemen ön yüklemesini sağlar. 

ABD. 1995'ten bu yana, Savunma İleri Araştırma Projeleri Ajansı (DARPA), bu alanda özel sanayi şirketlerinin araştırma çalışmalarını desteklemek için kaynak sağlamıştır. 1995'ten itibaren MRAM'ı yüksek yoğunluklu bir depolama ortamı olarak yaygınlaştırmak için çalışan üç özel konsorsiyum finanse edildi. Honeywell, IBM ve şu bu arada bölünmüş ayrılmış olan Motorola firması üç konsorsiyumunu yönetti. Hewlett-Packard, Matsushita, NEC, Fujitsu, Toshiba, Hitachi ve Siemens de MRAM araştırmalarına yatırım yaptı. Bu arada, çok sayıda başka şirket ve bir dizi yeni girişim firması MRAM araştırmasına katıldı. 

Dominant teknoloji şu anda STT-MRAM (Spin Aktarım Moment MRAM) dir. Bu teknolojide bir manyetik katmanın oryantasyonunun polarize bir akım akışı ile değiştirildiği fiziksel bir etkiden faydalanılmaktadır. Kaliforniya ve Los Angeles Üniversitesi'nde (UCLA) geliştirilen daha yeni yaklaşımlarla, oryantasyon (yönelim ) değişikliğini sağlamak için akan bir akım yerine manyetik bir gerilim kullanır. Buna MeMRAM denir ve belleğin güç tüketimini onda bir ila binde bir mertebesine indirmesi beklenmektedir.